학부

4학년

2019년도 4학년 실험 (조원주 교수님) 레포트 관련 내용입니다.

  • 신중원
  • 2019-03-08
  • 400

4학년 실험 (조원주 교수님) 레포트 

 

실험 및 설계 주제 : High-k 물질을 적용한 반도체 기술

 

레포트 주제

- SiO2 문제점 및 한계 / EOT (equivalent oxide thickness)의 정의

- High-k 물질의 정의 / 적용 분야 / 종류 / 형성 방법

- MOSCAP 구조 / 동작 원리 / 제작방법 (사용되는 주요 공정 기술)

- MOSCAP의 C-V (capacitance-voltage) 특성 (2 가지 type)

- Dit (interface trap density)의 정의 / Dit에 의해 발생하는 문제점 / 해결 방안 

 

Word 혹은 한글 파일로 작성하고 분량은 4 page 이상이며, reference (참고 문헌)를 표시하기 바랍니다.

 

제출은 *****유캠퍼스*****에 해주세요

 

문의사항 있으면 010-7117-6847 또는 참빛관 지하 104호로 와주세요

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